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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 500MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 500MHz

    更新時(shí)間：2024-12-07
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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 350MHz

    更新時(shí)間：2024-12-07
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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 200MHz

    更新時(shí)間：2024-12-07
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間：2025-02-06
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間：2025-02-06
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