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  • MP-Si-02-ADP法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 二極管
    MP-Si-02-ADP法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 二極管

    法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 應(yīng)用領(lǐng)域: 光纖通信、傳感、測距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測 快速光脈沖檢測 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

    更新時(shí)間:2024-07-20型號:MP-Si-02-ADP訪問量:734
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  • SI光電探測器 光敏面積4mm(二極管)
    SI光電探測器 光敏面積4mm(二極管)

    SI光電探測器 光敏面積4mm(二極管) 應(yīng)用領(lǐng)域: 光纖通信、傳感、測距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測 快速光脈沖檢測 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

    更新時(shí)間:2024-08-09型號:訪問量:869
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  • 6mm大光敏面硅(Si)光電探測器
    6mm大光敏面硅(Si)光電探測器

    6mm大光敏面硅(Si)光電探測器 產(chǎn)品總覽 器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2024-07-20型號:訪問量:889
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  • 8mm大光敏面(Si)硅光電探測器
    8mm大光敏面(Si)硅光電探測器

    8mm大光敏面(Si)硅光電探測器 應(yīng)用領(lǐng)域: 光纖通信、傳感、測距 可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測 快速光脈沖檢測 各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

    更新時(shí)間:2024-08-01型號:訪問量:756
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  • 銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2
    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2

    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2 2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。

    更新時(shí)間:2022-09-14型號:訪問量:882
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  • 銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2
    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2

    銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2 產(chǎn)品應(yīng)用: 氣體檢測 碳?xì)浠衔飩鞲? 紅外光譜 光譜學(xué) SWIR光電探測

    更新時(shí)間:2024-08-16型號:訪問量:907
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  • InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

    更新時(shí)間:2022-09-14型號:訪問量:974
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  • InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內(nèi)置TEC制冷型)
    InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內(nèi)置TEC制冷型)

    銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測,具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點(diǎn)。

    更新時(shí)間:2022-09-14型號:訪問量:1126
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