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1-16μm 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。

1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測(cè)器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器, 三級(jí)熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。

1-12μm中紅外非冷卻光導(dǎo)型MCT象限探測(cè)器PCQ應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作，由于1/f噪聲，探測(cè)器在低頻率下的性能會(huì)降低。PCQ探測(cè)器的主要應(yīng)用是激光光束輪廓測(cè)量和定位。

2-12μm中紅外非冷卻多結(jié)光伏MCT象限探測(cè)器 PVMQ：是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏象限探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。象限探測(cè)器由四個(gè)獨(dú)立的有源元件組成，它們排列在一個(gè)象限幾何圖形中。器件在10.6 μm下的性能得到優(yōu)化。PVMQ探測(cè)器的主要應(yīng)用是激光光束輪廓和定位。

2-12μm 中紅外MCT 四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。