產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測器

單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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詳細介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材,電子

PVI-3TE系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點

● 含有三級TE制冷以提高探測器性能

● 可探測中紅外波長范圍2-12μm

● 可配專用前置放大器

● 1mm×1mm大尺寸光敏面

● 帶有抗反射涂層窗口鏡

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學浸沒，有效提升探測效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學區(qū)域面積AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	5.7±0.35	4.8±0.35

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離

2TE-TO8引腳定義

功能	PIN號
探測器	1,3
反向偏壓（可選）	1（-）,3（+）
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12

3TE-TO66封裝尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學區(qū)域面積AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	6.75±0.35	5.85±0.35

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離

TO66引腳定義

功能	PIN號
探測器	7，8
反向偏壓（可選）	7（-）,8（+）
熱敏電阻	5,6
TE冷卻器供應	1（+），9（-）
未使用	2，3，4

產(chǎn)品應用

● 醫(yī)學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測器型號
參數(shù)	PVI-3TE-3	PVI-3TE-3.4	PVI-3TE-4	PVI-3TE-5	PVI-3TE-6	PVI-3TE-8	PVI-3TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長λopt，μm	3	3.4	4	5	6	8	10.6
探測靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w	≥9×1011	≥7×1011	≥5×1011	≥1×1011	≥6×1010	≥5×109	≥3×109
探測靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W	≥7×1011	≥5×1011	≥3×1011	≥8×1010	≥3×1010	≥3×109	≥1.5×109
電流響應度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5	≥1.0	≥0.7
時間常數(shù)T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤10
電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2	≥24000	≥1500	≥600	≥30	≥2.5	≥0.04	≥0.02
有源元件溫度Tdet,K	~210
感光面面積AO，mm×mm	0.5×0.5,1×1						0.05×0.05
封裝	TO8,TO66
接收角Φ	～36°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR