產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測(cè)器

單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)改善器件的參數(shù)，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)中紅外光波波段為1-12μm

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡達(dá)到光學(xué)浸沒(méi)，有效提升探測(cè)效率

● 2mm×2mm光敏面面積

● 可搭配專用前置放大器

封裝及尺寸

BNC型封裝及尺寸

參量	數(shù)值
浸沒(méi)微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8	1.25
A,mm	4.6±0.30	5.5±0.30	6.85±0.30

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—BNC型封裝頂部與焦平面的距離

TO39型封裝及尺寸

參量	數(shù)值
浸沒(méi)微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8	1.25
A,mm	1.5±0.20	2.4±0.20	3.75±0.20

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—TO39型封裝頂部與焦平面的距離

TO39型引腳定義

引腳定義
功能	引腳號(hào)
探測(cè)器	1,2
接地	3

產(chǎn)品應(yīng)用

● 熱成像

● FTIR光譜學(xué)

● 激光外差探測(cè)

● 中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器類型
參數(shù)	PCI-5	PCI-6	PCI-9	PCI-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
峰值波長(zhǎng)（μm）	5	6	9	10.6
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥6×109	≥2.5×109	≥5.0×108	≥1.0×108
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥4×109	≥1.0×109	≥1.0×108	≥8×107
電流響應(yīng)度-活性面積長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥0.5	≥0.2	≥0.02	≥0.008
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤5000	≤500	≤10	≤3
1/f噪聲角頻率fc,Hz	≤10k			≤20k
偏置電壓-光學(xué)區(qū)域長(zhǎng)度比Vb/LO；V/mm	≤0.45	≤0.4	≤0.36	≤0.3
電阻R,	≤1200	≤600	≤300	≤120
感光面尺寸AO,mm×mm	0.5×0.5;1×1;2×2
封裝	TO39,BNC
接收角?	~36°
窗戶	無(wú)