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硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz

簡要描述:硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz

高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點,可以有效的減少信號的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2022-09-15
  • 訪  問  量:779

詳細介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz

高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點,可以有效的減少信號的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

產(chǎn)品型號 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B

光譜響應(yīng)
400-1100nm
帶寬(Hz)
100 MHz
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測風(fēng)雷達

光學(xué)相干層析

光譜測量

ns 級光脈沖探測


技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號

BPD-Si-100M-B

BPD-Si-200M-B

BPD-Si-350M-B

BPD-Si-500M-B

BPD-Si-1G-B

單位

探測器型號

Si

波長

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

350M

500M

1G

Hz

探測器響應(yīng)度

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

0.55@850nm

A/W

跨阻增益

30K

30K

30K

30K

30K

V/A

飽和輸入光功率

250

250

250

250

250

μW

NEP

12

12

12

13

13

pW/Sqrt(Hz)

共模抑制比

>25

>25

>25

>25

>25

dB

輸出阻抗

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)

FC/APC(自由空間可選)


射頻輸出

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA


外形尺寸

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

62*47*25

mm


下載

硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz


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